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为了减少这些弊端，可合成相边界更少，更稳定的单晶材料。而单晶材料的合成主要依靠高温煅烧，熔盐法，或多步合成。这些方法，或能量消耗高，或会增加成本，或会产生杂相，或会引入不必要的杂质。因此，美国伍斯特理工学院王岩课题组成员利用稀酸刻蚀的方法成功合成了高性能单晶NMC正极材料，并且验证了该方法可普遍应用在不同比例的NMC正极材料和NCA正极材料。通过SEM,XRD,TEM和XPS等测试手段证明了稀酸刻蚀可以提高锂离子扩散速率，增加Ni2+/Ni3+比例，降低阳离子混排，提高倍率和循环性能。