用于IGBT模块的活性金属钎焊（AMB）陶瓷基板

氮化铝优良绝缘，高频损耗小，耐热，热膨胀系数小，机械强度大，热传导好，耐化学腐蚀，稳定，热导率高，光传输特性好，电性能优良，机械性能好，尺寸大小及厚度可根据顾客要求定制。公司已经拥有一整套从日本、美国等国进口的、配备完善的电子陶瓷生产设备和检测仪器，是一家规模化、采用流延法生产氮化铝陶瓷基板的企业，主导产品是氮化铝陶瓷基板及其相关电子元器件。与国外同行企业相比较，在氮化铝陶瓷基板流延浆料配制、低温烧结等方面，公司自有的氮化铝陶瓷流延法生产技术与工艺，所生产的氮化铝陶瓷基板具有高的热导率、较低的介电常数和介质损耗、优良的力学性能，可广泛应用于电子信息、电力电子等高技术领域。开发了一种将氮化铝 (AlN) 直接晶圆键合到镀有 AlN 的晶圆的方法。晶圆直接键合需要光滑、平坦、亲水的表面，这些表面能够被适当带电的氢分子表面处理。华清可以提供非常光滑（Ra≤0.03um）和平坦表面的AlN衬底。我们的氮化铝基板 (AlN) 有各种尺寸和厚度可供选择。活性金属钎焊（AMB）工艺是直接键合铜（DBC）工艺技术的进一步发展。它是利用钎料中所含的少量活性元素与陶瓷反应生成可被液体钎料润湿的反应层，从而将陶瓷与金属连接起来的一种方法。目前，随着电力电子技术的快速发展，高铁大功率器件控制模块对IGBT模块封装的关键材料——陶瓷覆铜板形成了巨大的需求，尤其是AMB基板逐渐成为主流应用。得益于大量的实时库存，我们可以快速运送您的零件，以便您开始您的项目。请联系我们定制。我们还可以提供导热系数高达 230W/mK 的氮化铝 (AlN) 陶瓷。