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MOS的三合一数字控制芯片

  • 发布时间:2023-09-15 14:39:27
    报价:0.1/个
    地址:广东,深圳,欧阳
    公司:深圳市世微半导体有限公司
    手机:18811874036
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    锂电池充放电保护带功能可定制驱动芯片外围简单

    锂电池管理芯片可写程序三合一

    太阳能低压充电驱动芯片带功能定制

    集成MCU,充电芯片,MOS的三合一数字控制芯片

    概述

    是一款应用于小家电市场

    设计的高度集成的MCU微控制器,内

    置集成单节锂离子电池恒流/恒压

    线性充电,支持100~500mA固定电流

    充电管理。

    内置功率MOS。

    内置EPROM作为记忆体的 8

    位微控制器,采用CMOS制程并同

    时提供客户低成本、高性能等显著

    优势。

    核心建立在RISC精简指令

    集架构可以很容易地做编辑和控制

    ,共有55 条指令。除了少数指令

    需要 2 个时序,大多数指令都是

    1 个时序即能完成,可以让用户轻

    松地编程控制完成不同的产品应用

    特点

     可编程数字端口。

     内部集成 500mA固定电流

    充电。

     内部集成20v-30v功率管。

     电机驱动持续电流1.5A,峰

    值 电流2.5A

    控制器特性简介

    封。 装形式  ESOP8-双基岛

    PIO)、PB[5:0]。

     PB[3:0]可选择输入时使用内建下拉电阻。

     输入有三种组态可选(TTL/CMOS/Without Schmitt)

     PB[3]内建上拉电阻及输出高推功能。

     PB[5:0]可选择上拉电阻或开漏极输出(Open-Drain)。

     所有I/O脚输出可选择小灌电流(Small Sink Current

    2.0V~5.5V@系统频率≤8MHz

    2.2V~5.5V@系统频率>8MHz。

     工作温度:-20°C~85°C。

     高达±5KV的ESD。

     内建16阶准确的低电压侦测电路功能。

     1K×14 bits EPROM。

     48 bytes SRAM。

     6根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚

    或一般灌电流(Normal Sink Current)。

     所有I/O脚输出可选择小推电流(Small Drive Current)

    或一般推电流Normal Drive Current);除PB3外。

    ( 8层程序堆栈Stack)。

     (存取数据有直接或间接寻址模式。

     一组8位上数定时器(Timer0)包含可程序化的频率预

    除线路。

     一组8位下数定时器(Timer0)可选重复载入或连续下

    数计时。

     一个8位的脉冲宽度调变输出(PWM1)。

     一个蜂鸣器输出(BZ1)。

     38/57KHz红外线载波频率可选,同时载波的极性也可

    以根据数据作选择。

     内建上电复位电路POR)。

    ( 内建低压复位功能LVR)。

    ( 内建看门狗计时(WDT),可由程序固件控制开关。

     双时钟机制,系统可以随时切换高速震荡或低速震荡。

    高速震荡:I_HRC(内部1~20MHz高速RC震荡)

    低速震荡:I_LRC(内部32KHz速RC震)

     四种工作模式可随系统需求调整电流消耗:正常模式

    (Normal)、慢速模式(Slow mode)、待机模

    式(Standby mode)与睡眠模式(Halt mode)。

    有需要的朋友可找欧阳  找欧工申请样板和样品测试确认

    MOS的三合一数字控制芯片

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