深爱SIF6N70F 700V 6A N沟道MOS

概述：
漏-源电压：700V 栅-源电压:+30V 漏极电流：6A  漏极电流：4.2A  脉冲电流：24A
耗散功率：TO-220FP:40 W TO-220/262/263:140W 结温：150° 存储温度：-55-150
单脉冲雪崩能量：324mJ 漏-源击穿电压：VGS=0V, ID=250A /700V  击穿电压温度系数：ID=250uA, Referenced to 25CV/C
栅极开启电压：VGS=VDS, ID=250A  漏-源漏电流：VDS =700V, VGS =0V, Tj=25C  跨导：VDS =15V, ID=3.0A 

特点：
热阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
应用：
电子镇流器 电子变压器 开关电源

封装信息：
TO-220 条管装/TUBE PACKING SIF6N70F TO-220-TU
TO-220FP 条管装/TUBE PACKING SIF6N70F TO-220FP-TU
TO-262 或 263 条管装/TUBE PACKING SIF6N70F TO-262-TU 或 SIF6N70F TO-263-TU
注释(Notes):  脉冲宽度：以结温为限制 Repetitive rating: Pulse width limited by maximum junction temperature  初始结温=25oC, VDD =50V, L=18mH, RG =25Ω, IAS=6.0A Starting Tj=25oC, VDD =50V, L=18mH, RG =25Ω, IAS=6.0A  脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2 ％ Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%