Amptek将硅片制造引入内部 并改进了工艺。其结果是探测器具有更低的噪声、更低的泄漏电流、更好的电荷收集以及探测器之间的均匀性。这使其成为性能更好的硅漂移探测器。
FAST SDD代表Amptek高性能的硅漂移检测器（SDD） 能够在保持分辨率的同时 计数率超过1000000 CPS（每秒计数）。FAST SDD还可与C系列（Si3N4）低能窗一起使用 用于软x射线分析。
与传统SDD不同 FAST SDD在密封的TO-8封装内使用结栅场效应晶体管（JFET）和外部前置放大器 在TO-8封装内部使用互补的金属氧化物半导体（CMOS）前置放大器 并用金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）代替JFET。这降低了电容 提供了更低的串联噪声 并在极短的峰值时间内提高了分辨率。FAST SDD使用相同的检测器 但前置放大器在短峰值时间内提供较低的噪声。改进的（较低的）分辨率能够隔离/分离具有接近能量值的荧光X射线 否则峰值将重叠 从而允许用户更好地识别其样品中的所有元素。峰值时间短也会提高计数率；更多的计数提供更好的统计数据。
AMPTEK硅漂移探测器FAST SDD AMPTEK FAST SDD 性能特点
25 mm2的活动面积校准为17 mm2
也可提供70 mm2准直至50 mm2
9 keV时的122 eV FWHM分辨率
计数率>1000000 CPS
高峰值与背景比–26000/1
前置放大器输出上升时间<35 ns
窗口：Be（5密耳）12.5µm 或C系列（Si3N4）
抗辐射
探测器厚度500µm
TO-8包装
冷却ΔT>85 K
多层准直器
AMPTEK硅漂移探测器FAST SDD AMPTEK FAST SDD 技术参数
检测器类型：带CMOS前置放大器的硅漂移检测器（SDD）
探测器尺寸：25 mm2-校准至17 mm2
也可提供70mm2-准直至50mm2
硅厚度：500µm或1000um可用
准直器内部：多层准直器（ML）
4µs峰值时间下5.9 keV（55Fe）：122-129 eV FWHM时的能量分辨率（保证）
峰值与背景：20000:1（计数比从5.9 keV到1 keV）（典型）
探测器窗口选项：铍（Be）：0.5密耳（12.5µm）或0.3密耳（8µm）
C系列（Si3N4）低能耗窗户
电荷敏感型前置放大器：CMOS
增益稳定性：<20 ppm/°C（典型）
探测器模块：TO-8封装（0.640英寸高 包括销 0.600英寸直径）
XR100盒3.00 x 1.75 x 1.13英寸（7.6 x 4.4 x 2.9厘米）
X-123箱3.94 x 2.67 x 1.0英寸（10.0 x 6.78 x 2.54厘米）
原始设备制造商：配置各不相同
重量
探测器模块：0.14箱（4.1克）
XR100盒：4.4盎司（125克）
X-123箱：6.3盎司（180克）
原始设备制造商：配置各不相同
总功率：<2瓦
设备寿命：通常为5至10年 具体取决于使用情况
操作条件：-35°C至+80°C
在干燥环境中长期储存10年以上
典型储存和运输：-40°C至+85°C 湿度10至90% 不凝结