4、IA10N10D-TO252
N沟道MOS,Vdss=100V，VGS=±20,Id=10A，RDS(ON) <150mnbsp; VGS=10V (Typ:136mnbsp;,封装TO252
*一般描述：
IA10N10D采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。它可用于各种应用。
*一般特征：
VDS = 100V，ID = 10A
RDS（ON）<150mΩ VGS = 10V（典型值：136mΩ）
RDS（ON）<170mΩ VGS = 4.5V（典型值：160mΩ）
高密度电池设计，适用于超低Rdson
封装散热良好
*应用领域：
电源切换应用
硬开关和高频电路
不间断电源供应
雾化器