产品名称： 镍钒（NiV）合金靶材
元素符号： Ni+V
纯度： 3N, 3N5, 4N
形状 ：平面靶 旋转靶 异型定制
镍钒合金靶材的描述：在集成电路制作中一般用纯金做表面导电层，但金与硅晶园容易生成AuSi低熔点化合物，导致金与硅界面粘接不牢固，人们提出了在金和硅晶圆的表面增加一粘接层，常用纯镍做粘接层，但镍层和金导电层之间也会形成扩散，因此需要再有一阻挡层，来防止金导电层和镍粘接层之间的扩散。阻挡层需要采用熔点高的金属，还要承受较大的电流密度，高纯金属钒能满足该要求。所以在集成电路制作中会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在制备镍钒合金靶材过程中，在镍熔体中加入钒，使制备出的合金更有利于磁控溅射，结合了镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点，可一次完成溅射镍层（粘接层）和钒层（阻挡层）。镍钒合金无磁性，有利于磁控溅射
镍铬、镍钴可定制