N-channel MOSFET
Features
High ruggedness
BVDSS : 500V
RDS(ON) (Max 3.15Ω)@VGS=10V
ID: 3A
Fast reverse recovery body diode
RDS(ON) : 2.70ohm
Improved dv/dt Capability
Avalanche Tested
报价：面议
地址：广东,深圳,宝安72区留仙三路
公司：深圳市尚微半导体有限公司
手机：15112364363
微信：xqt0906
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