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GR8853A是一种高压、高速、自振荡功率MOSF

  • 发布时间:2024-08-23 15:08:50
    报价:面议
    地址:广东,深圳,深圳市福田区华强北路1078号现代之窗A座18A2
    公司:深圳市大东微电子有限公司
    手机:13802251853
    微信:Hz13802251853
    用户等级:普通会员 已认证

    描述

    GR8853A是一种高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器,具有高侧和低侧参考输出通道。 专有HVIC和闩锁免疫CMOS技术使坚固的单片结构成为可能。 前端有一个类似于555计时器的可编程振荡器。 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级和内部死机时间,旨在实现最小的驱动器交叉传导。

    两个通道的传播延迟匹配,以简化50%占空比应用中的使用。 浮动通道可用于驱动高侧配置的N-MOSFET或IGBT,该配置在高达600伏的高压导轨上运行。

    特点

    •为+600V的引导操作设计的浮动通道

    •瞬态电压的噪声抗性

    •欠压锁定

    •可编程振荡器频率

    •两个通道的匹配传播延迟

    •75uA的超低启动电流

    •关机功能关闭两个通道

    •与Ry相位的低侧输出

    应用

    •HID灯镇流器

    •PDP维持驱动

    • 电机驱动器

    • SMPS

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