2MBI150U4H-120-50
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 150
• Vce(sat),Max(V) 3.0
• Ton(us) 1.2
• Toff(us) 1.0
• Rth(j-c),K/W 0.11
• Pc(W) 1100
• 封装 M233
• 电路结构 半桥
性能概要：
• 低损耗：与标准U系列相比，导通切换的损耗降低30%以上。
• 易于并联
• 更低的电磁噪声
目标应用：
• 变频器
• 有源滤波设备
2MBI150U4H-120-50是IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加层被称为电场终止（fieldstop），这样结合了 PT 和 NPT 技术的优势。该技术可使静态和动态损耗减至最小，加上 IGBT3 具有更高电流密度，它还可扩展系列产品的功率范围。硅片结温可高达175℃，运行温度可达200℃。低损耗，2MBI150U4H-120-50 IGBT模块具有低EMI噪声，高可靠性，高运行结温等优点。主要应用在100KW光伏逆变器，电机驱动，电源等领域。
2MBI75U4A-120
2MBI75U4A-120
2MBI100U4A-120
2MBI100VA-120-50
2MBI150U4H-120-50
2MBI150VA-120-50
2MBI150VB-120-50
2MBI200U4B-120-50
2MBI200U4H-120-50
2MBI200VB-120-50
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