该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。
主体结构。全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。
极限真空度。≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。
真空配置。高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。
真空测量。两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。
工件架系统。行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。
磁控溅射系统。配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。
电源 。2套直流电源；1套全固态射频电源；；一套200W直流偏压电源。
充气系统。配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。
电气控制系统。采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。
特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配
